[发明专利]一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法有效

专利信息
申请号: 200310103424.2 申请日: 2003-10-31
公开(公告)号: CN1540768A 公开(公告)日: 2004-10-27
发明(设计)人: 张盛东;陈文新;张志宽;黄如;韩汝琦 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 俞达成
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种自对准的源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管结构。该MOS器件有一个薄的沟道区和厚的源漏区。沟道区位于绝缘衬底的隐埋介质层的表面,源漏区位于沟道区两端并下陷于隐埋介质层中。这样,源漏区为低阻硅化物的生成提供足够的材料。该器件结构的一主要特征是厚源漏区相互对称并和栅电极自对准。这一自对准结构形成的工艺方法包括如下步骤:在栅电极两侧形成牺牲侧墙;以该侧墙和栅电极为掩膜各相同性地腐蚀隐埋介质层形成浅槽;以浅槽区内显露的半导体层为籽晶外延生长或淀积半导体材料以填充浅槽。
搜索关键词: 一种 漏下 超薄 soimos 晶体管 及其 集成电路 制作方法
【主权项】:
1.一种源漏下陷型超薄体SOI MOS晶体管,包括一栅电极,一栅介质层,一对栅电极侧墙介质层,一沟道区,一源区和一漏区;所述栅电极位于栅介质层之上;所述栅介质位于沟道层之上;所述沟道区两端分别与所述源区和漏区相连;所述晶体管位于绝缘衬底上;其特征在于,所述源漏区的底部低于沟道区底部,即源漏区比沟道区厚;厚源漏区通过辐射状的衔接部分过渡到薄沟道区;在所述过渡区,源漏区的一部分延伸到所述栅电极之下与之形成交叠;源漏区相互对称并和栅电极自对准。
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