[发明专利]沸石溶胶及其制法、多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制法、层间绝缘膜和半导体装置

摘要

本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR¹)₄(其中R¹代表具有1－4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R¹时，R¹要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。

主权项

1.一种用于制备沸石溶胶的方法，该方法包括：在结构导向剂和碱性催化剂的存在下水解和缩合由以下通式(1)表示的硅烷化合物：Si(OR1)4---(1)其中R1代表具有1-4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1可以是独立的并且彼此相同或者不同；和在75℃或者更低的温度加热该硅烷化合物。