[发明专利]低压反应离子镀方法制备碳锗合金膜无效
| 申请号： | 200310115962.3 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1554800A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王笑夷;高劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王立伟 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是低压反应离子镀方法制备碳锗合金(GexC1－x)膜，以高纯锗作为蒸发材料，以氩气作为工作气体引入离子源，为镀膜提供等离子体，含碳气体作为反应气体通入真空室并在氩等离子体的作用下被电离分解，使蒸发的锗与碳发生反应，在基片上形成碳锗合金(GexC1－x)膜。本发明方法可得到折射率变化范围较宽，在中波红外(3～5μm)和长波红外(8～12μm)处低吸收的GexC1－x膜。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 反应 离子镀 方法 制备 合金 | ||
【主权项】：
1、低压反应离子镀方法制备碳锗合金(GexC1-x)膜，将工件置真空室上方，蒸发方式为电子束蒸发，其特征在于：a、选择双面抛光的锗片作为基底；b、将氩气作为工作气体引入离子源，气体在离子源内电离形成等离子体；c、在离子源和电子枪的悬浮坩埚之间产生弧光放电，将等离子体从离子源内拉出；d、以含碳气体作为反应气体通入真空室，在氩等离子体的所用下，含碳气体被充分电离，分解出大量的正碳离子；e、以高纯锗作为蒸发材料，蒸发出的锗原子与带有较高能量的正碳离子发生反应，在基底上沉积碳锗合金(GexC1-x)膜；f、通过调节气体流量和锗的蒸发速率，可以得到组分x不同的GexC1-x膜。
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