[发明专利]由多重沉积和氧化步骤生成间隙层的磁阻传感器结构的生成方法无效
| 申请号： | 200310116309.9 | 申请日： | 2003-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1519816A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮那巴塞 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 磁阻传感器结构的生成包括：提供一个基底结构，在基底结构之上沉积一个磁钉住结构，以及在磁钉住结构之上沉积一个氧化铜间隙层。沉积氧化铜间隙层的步骤包括沉积第一铜子层，氧化第一铜子层，沉积第二铜子层以及氧化第二铜子层。如果需要也可使用更多次的沉积和氧化步骤。感应结构沉积在氧化铜间隙层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 沉积 氧化 步骤 生成 间隙 磁阻 传感器 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产磁阻传感器结构的方法，包括的步骤有：提供一个基底结构；在基底结构之上沉积一个磁钉住结构；在磁钉住结构之上沉积一个金属氧化间隙层，步骤有 沉积第一金属子层， 氧化第一金属子层， 沉积第二金属子层，以及 氧化第二金属子层， 在金属氧化间隙层之上沉积感应结构。
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