[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200310119538.6 | 申请日： | 2003-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1505138A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 根本义彦;谷田一真;高桥健司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;株式会社东芝;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底1、2；在第1半导体衬底1的相向面上形成、由第1半导体电路3和第1电极7构成的第1半导体元件5；在第2半导体衬底2的相向面上形成、由第2半导体电路4和第2电极8构成的第2半导体元件6；夹在第1与第2电极7、8之间的布线层9；及贯通第1半导体衬底1，经布线层9与第1和第2电极7、8连接的贯通电极12，第2半导体衬底2在贯通电极12的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底1突出的贯通电极12的侧面和第2半导体元件6的侧面被绝缘材料13覆盖，贯通电极12的一端从第1半导体衬底1背面露出，另一端位于与第2半导体衬底2背面相同的高度，并从绝缘材料13露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于：具备：具有互相相向配置的相向面的第1和第2半导体衬底；在上述第1半导体衬底的相向面上形成的、由第1半导体电路和第1电极构成的第1半导体元件；在上述第2半导体衬底的相向面上形成的、由第2半导体电路和第2电极构成的第2半导体元件；夹在上述第1与第2电极之间的、由导电材料构成的第1布线层；以及贯通上述第1半导体衬底，同时经上述第1布线层与上述第1和第2电极连接的贯通电极，上述第2半导体衬底安装在上述第1半导体衬底上，在上述贯通电极的侧面方向隔开地配置，从上述第1半导体衬底突出的上述贯通电极的侧面和上述第2半导体元件的侧面被绝缘材料覆盖，上述贯通电极的一端从上述第1半导体衬底的背面露出作为第1外部端子，上述贯通电极的另一端位于与上述第2半导体衬底的背面相同的高度，并且从上述绝缘材料中露出作为第2外部端子。
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