[发明专利]含有钨合金阻挡层的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200310119731.X | 申请日： | 2003-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1505141A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 帕纳约蒂斯·安德里察考斯;史蒂文·H·贝彻;桑德拉·G·马尔霍特拉;米兰·保诺维奇;克雷格·兰塞姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 互连线结构包含具有介电层的衬底，介电层中有通道开孔；其中的开孔中有钴和/或镍底层、钴和/或镍合金阻挡层；并提供钨。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 合金 阻挡 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子结构包含：具有介电层的衬底，介电层中有通道开孔；通道开孔具有钴、镍或二者的底层，所述底层沉积在通道开孔的侧壁和下表面；以及在底层侧壁和下表面上的阻挡层；其中阻挡层包括电沉积的合金层，合金层包含选自由钴、镍、及其混合物组成的组之中的至少一种；和钨。
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