[发明专利]铜制程焊垫结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200310120177.7 | 申请日： | 2003-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1574321A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赖嘉宏;林俊吉;张宗生;曹敏;曾焕棋;李豫华;杨青天 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种铜制程焊垫结构及其制造方法，此铜制程焊垫结构包含第一保护层，第二保护层，以及多个焊垫。第一保护层与第二保护层，是覆盖于半导体基材的最上层铜金属内联线之上，且具有多个开口，使露出最上层铜金属内联线表面。而焊垫形成于第一保护层的开口上方，并与最上层铜金属内联线表面相互连接，且相邻的焊垫彼此之间由第二保护层所隔离。本发明的另一方面是说明形成上述的铜制程焊垫的制造方法。通过本发明的铜制程焊垫结构及其制造方法，可防止焊垫之间短路的情况，提高集成电路产品的可靠度，还可提高集成电路的焊垫密度，以有效增加集成电路产品的输出/输入接口的数量，增强集成电路产品的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 铜制 程焊垫 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜制程焊垫结构，至少包含：一第一保护层，覆盖于一半导体基材的一最上层金属内联线之上，其中该第一保护层具有数个第一开口，且所述第一开口露出该最上层金属内联线的数个区域；一第二保护层，形成于该第一保护层之上，具有数个第二开口，且分别对应于所述第一开口，以露出所述第一开口；以及数个焊垫，形成于所述第一开口之上，并位于所述第二开口之中，且所述焊垫与该最上层金属内联线所露出的所述区域电性连接。
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