[发明专利]超临界流体工艺条件的原位监控方法和装置

摘要

本发明提供用于超临界流体工艺条件的原位监控的方法和装置，用于对包括利用超临界流体或高压液体如CO₂清洁半导体晶片的半导体制造工艺的工艺参数进行原位监控和分析。所述方法和装置利用具有靠近容纳高压液体的容器的反射镜的分光计。通过窗口传输进容器中并且通过对置的窗口从容器中输出的NIR辐照被反射、检测和测定，压力容器中流体的成分被测定，使得使用者根据测定的成分控制工艺参数。

主权项

1.一种用于在电子器件制造过程中原位监控和分析参数的方法，包括以下步骤：提供带有对置的窗口的压力容器，该对置的窗口用于将红外光束传输进容器中和从容器中输出，光束通过容器内部；提供要在容器中处理的工件；提供在容器中的用于处理衬底的一种或多种材料，所述材料包括超临界流体、高压液体，并且可选择地含有一种或多种溶剂；提供红外分光计，用于生成和传输一波长范围内的红外光束通过所述窗口中的一个进入压力容器中，通过包含在容器中的材料，并且从对置的窗口输出；提供反射性传输镜；提供接收器，用于从反射性传输镜接收被反射的红外光；将特定波长的红外光束通过所述窗口中的一个进入容器中，在反射性传输镜处将光束通过容器并从对置的窗口输出，以及将被反射的光束接收在接收器中；检测和分析被反射的红外光；在所需要的波长范围内重复上述操作；以及根据被反射的光束的检测和分析结果，确定容器中材料的成分和其它参数。