[发明专利]画素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200310121501.7 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1547067A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨健生 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/01;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种画素结构及其制造方法，该画素结构适于配置在一基板上。该画素结构主要是由一扫瞄配线、一资料配线、一主动组件、一电容电极、一画素电极与一电场遮蔽层构成。该画素结构的制造方法，主要是在基板上先形成主动组件、扫瞄配线与资料配线，主动组件是电性连接至扫瞄配线与资料配线。此外，在基板上形成电容电极与电场遮蔽层，电场遮蔽层覆盖资料配线。最后，在基板上形成画素电极，覆盖电容电极且电性连接至主动组件。其中，画素电极与电容电极是电性耦合为一画素储存电容。电场遮蔽层可避免资料配线与画素电极之间发生串音现象。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种画素结构及其制造方法，适于配置在一基板上，其特征在于该画素结构至少包括：一扫瞄配线，配置于该基板上；一数据配线，配置于该基板上；一主动组件，邻近配置于该扫瞄配线与该数据配线交会处的该基板上，且该主动组件是电性连接至该扫瞄配线与该资料配线；一电容电极，配置于该基板上；一画素电极，配置于该电容电极上方且电性连接至该主动组件，其中该画素电极与该电容电极是电性耦合为一画素储存电容；以及一电场遮蔽层，配置于该数据配线与该画素电极之间。
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