[发明专利]增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法有效
申请号: | 200310122877.X | 申请日: | 2003-12-29 |
公开(公告)号: | CN1635595A | 公开(公告)日: | 2005-07-06 |
发明(设计)人: | 史望澄;林永锋;陈真 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/33;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包含步骤:a)依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于介电层上;b)利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层;c)以微影蚀刻法定义底部金属层;d)沉积一金属层间介电材质层于该中间金属层与该底部金属层上,并平坦化该金属间介电材质层;e)在该金属间介电材质层中,以图案蚀刻进行多个介层窗的蚀刻,以相通至底部金属层与中间金属层;f)沉积一金属钨,以在介层窗内形成金属内连线,连接该底部金属层及该中间金属层并随后进行化学机械研磨;g)重复步骤a)至f);及h)沉积一顶部金属层,图案蚀刻该顶部金属层。 | ||
搜索关键词: | 增加 金属 绝缘体 电容器 单位 面积 电容 密度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包含步骤:a)依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于该介电层上;b)利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层;c)以微影蚀刻法定义底部金属层;d)沉积一金属层间介电材质层于该中间金属层与该底部金属层上,并平坦化该金属间介电材质层;e)在该金属间介电材质层中,以图案蚀刻进行多个介层窗的蚀刻,以相通至底部金属层与中间金属层;f)沉积一金属钨,以在介层窗内形成金属内连线,连接该底部金属层及该中间金属层并随后进行化学机械研磨;g)重复步骤a)至f);以及h)沉积一顶部金属层,图案蚀刻该顶部金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310122877.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:弧形屏幕的实时影像反扭曲呈像方法
- 下一篇:穿透式电子显微镜试片的制备方法