[发明专利]增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法有效

专利信息
申请号: 200310122877.X 申请日: 2003-12-29
公开(公告)号: CN1635595A 公开(公告)日: 2005-07-06
发明(设计)人: 史望澄;林永锋;陈真 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/33;H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包含步骤:a)依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于介电层上;b)利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层;c)以微影蚀刻法定义底部金属层;d)沉积一金属层间介电材质层于该中间金属层与该底部金属层上,并平坦化该金属间介电材质层;e)在该金属间介电材质层中,以图案蚀刻进行多个介层窗的蚀刻,以相通至底部金属层与中间金属层;f)沉积一金属钨,以在介层窗内形成金属内连线,连接该底部金属层及该中间金属层并随后进行化学机械研磨;g)重复步骤a)至f);及h)沉积一顶部金属层,图案蚀刻该顶部金属层。
搜索关键词: 增加 金属 绝缘体 电容器 单位 面积 电容 密度 方法
【主权项】:
1.一种堆叠式金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包含步骤:a)依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于该介电层上;b)利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层;c)以微影蚀刻法定义底部金属层;d)沉积一金属层间介电材质层于该中间金属层与该底部金属层上,并平坦化该金属间介电材质层;e)在该金属间介电材质层中,以图案蚀刻进行多个介层窗的蚀刻,以相通至底部金属层与中间金属层;f)沉积一金属钨,以在介层窗内形成金属内连线,连接该底部金属层及该中间金属层并随后进行化学机械研磨;g)重复步骤a)至f);以及h)沉积一顶部金属层,图案蚀刻该顶部金属层。
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