[发明专利]物理气相沉积系统中的准直管的温度控制装置有效
| 申请号： | 200310122890.5 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1632161A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 温家琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 竺明;谢晋光 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种物理气相沉积系统中的准直管温度控制装置(stabilizer)，包括：一反应室，提供空间利于上述物理气相沉积系统的沉积物(deposition species)于上述反应室中进行沉积；一温度控制装置，置于上述反应室壁(chamber wall)之中；一加热器，置于上述反应室之中，上述加热器目的在于加热置于其上的晶片(wafer)；以及，一准直管，置于上述反应室壁(chamber wall)之上，上述准直管的边缘置于上述温度控制装置之上，藉由调整上述温度控制装置的温度，使得累积在上述准直管中间的沉积膜与累积在边缘的沉积膜更均匀，结果提升了上述物理气相沉积的阶梯覆盖能力。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 系统 中的 准直管 温度 控制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积系统，包括：一反应室，用于进行物理气相沉积反应；一温度控制装置，置于该反应室壁中；以及一准直管，置于该反应室壁之上，该准直管的边缘置于该温度控制装置之上，藉由调整该温度控制装置的温度，使得累积在该准直管中间的沉积膜与累积在该准直管边缘的沉积膜更均匀，结果提升了该物理气相沉积的阶梯覆盖能力。
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