[发明专利]可观测离子束造成的表面损伤的TEM样片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200310122961.1 申请日: 2003-12-30
公开(公告)号: CN1635365A 公开(公告)日: 2005-07-06
发明(设计)人: 张启华;高强;李明;牛崇实 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01N23/18 分类号: G01N23/18;G01N1/44
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈红
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种可观测离子束造成的表面损伤的TEM样片及其制备方法,用于研究不同FIB参数对非晶层厚度的影响;首先从被检测样品上分离出一块TEM样片;然后对其上表面首先进行粗切割,使所述TEM样片上包括一个用于TEM观测的长方体小样片,该长方体至少有两个相对的表面以及一个垂直于该两相对面的表面不与该TEM样片相连接,并具有X、Y、Z三个坐标轴方向;将包括小样片的样片置入FIB反应室内,以FIB离子束对小样片进行切割,以获得被离子束打伤的非晶层的侧面,然后将样片放入TEM观测非晶层的物理厚度。本发明只需放入FIB反应室一次,不需对样片多次取放、移动、翻转,非常省时、省力。
搜索关键词: 观测 离子束 造成 表面 损伤 tem 样片 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种可观测离子束造成的表面损伤的TEM样片,该TEM样片是从被检测样品上分离出的,其特征是:该TEM样片上包括一个用于TEM观测的小样片,该小样片为长方体,且该长方体至少有两个相对的表面以及一个垂直于该两相对面的表面不与该TEM样片相连接,该小样片的其他面与该TEM样片均相连,该长方体具有X、Y、Z三个坐标轴方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200310122961.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top