[发明专利]用于真空处理两维加长基片的装置及加工这种基片的方法有效

专利信息
申请号: 200380103273.9 申请日: 2003-11-12
公开(公告)号: CN1711369A 公开(公告)日: 2005-12-21
发明(设计)人: R·奥斯特曼;A·比歇尔;M·叶利亚库比 申请(专利权)人: 优纳克斯巴尔策斯股份有限公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C16/54
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张金熹
地址: 列支敦士*** 国省代码: 列支敦士登;LI
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 为了简化并提高多工序基片真空处理的灵活性,一负载锁定和处理塔LLPT1包括一负载锁定部件LLA和一处理部件PMA。负载锁定部件LLA一方面与外部环境AT相连通,另一方面与位于一运送部件TA中的真空环境V相连通。基片在负载锁定部件LLA和处理部件PMA之间的搬运是通过各开口来实现的。
搜索关键词: 用于 真空 处理 加长 装置 加工 这种 方法
【主权项】:
1.一种用于真空处理两维加长基片的装置,该装置包括:(a)一个具有一运送机器人部件的真空运送室;(b)一个具有至少一个处理站的处理部件,该处理部件通过至少一个工件传送开口与所述真空运送室相连通;(c)一个负载锁定部件,该部件通过至少一个工件传送开口与所述真空运送室相连通,并且还通过至少一个工件传送开口与位于所述真空运送室以及所述处理部件之外的周围环境相连通;(d1)一个负载锁定和处理塔,该塔由所述处理部件和所述负载锁定部件以一个垂直地设置在另一个之上的方式构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优纳克斯巴尔策斯股份有限公司,未经优纳克斯巴尔策斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380103273.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top