[发明专利]清洁片和基板处理装置的清洁方法有效
申请号: | 200380104054.2 | 申请日: | 2003-11-10 |
公开(公告)号: | CN1717285A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 寺田好夫;并河亮;丰田英志 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;H01L21/304;G02F1/13;H01L21/68 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 贾静环;宋莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种清洁元件,所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内,清除装置内部的外来物质的过程中,不通过离子杂质污染基板处理装置。本发明还公开了一种清洁元件,所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内,清除装置内部的外来物质的过程中,不通过金属杂质污染基板处理装置。具体地,公开了一种清洁片,所述清洁片的特征在于在支持体的一个表面上提供F-、Cl-、Br-、NO2-、NO3-、PO43-、SO42-、Na+、NH4+和K+的纯水提取量都为20ppm或更少(于120℃沸腾下提取1小时),而在支持体的另一个表面上具有粘合剂层。本发明还公开了一种清洁片,其特征在于在支持体的一个表面上提供Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn或其化合物的量以各自的金属元素计时各自为5ppm(μg/g)的清洁层,以及提供在另一侧上的粘合剂层。 | ||
搜索关键词: | 清洁 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种清洁片,包括其中F-、Cl-、Br-、NO2-、NO3-、PO43-、SO42-、Na+、NH4+和K+的纯水提取量各自不超过20ppm的清洁层(于120℃沸腾下提取1小时)。
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