[发明专利]使用超高耐热性正型感光组合物的图案形成方法无效

专利信息
申请号: 200380104283.4 申请日: 2003-11-14
公开(公告)号: CN1717626A 公开(公告)日: 2006-01-04
发明(设计)人: 井川昭彦;山本敦子 申请(专利权)人: AZ电子材料(日本)株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/022;G03F7/20;G03F7/40;G03F1/08
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在对于光致抗蚀图案需要高耐热性的工艺中,如制备TFT活性基质基板工艺中,通过使用正型感光组合物可形成一种超高耐热性的正型图案。本发明的图案形成方法包括以下步骤:涂敷一种感光组合物到基板材料之上以形成感光层的步骤,该感光组合物含有(a)碱溶性树脂、(b)具有醌二叠氮基的感光剂、(c)光酸产生剂、(d)交联剂和(e)溶剂;接着透过掩模使基板曝光的步骤;通过显影除去曝光区域以形成正型图像的步骤;使该正型图像的整个区域曝光的步骤;和(如果需要)后烘焙处理。对于使用1,2-萘醌-4-磺酰化合物作为具有醌二叠氮基的感光剂的情形,以上成分(c)可以省略,这是由于该化合物还充当着成分(c)光酸产生剂的作用。
搜索关键词: 使用 超高 耐热性 感光 组合 图案 形成 方法
【主权项】:
1.一种图案形成方法,其特征在于它包括以下步骤:[1]涂敷一种感光组合物到基板材料之上以形成感光层的步骤,该感光组合物含有(a)碱溶性树脂、(b)具有醌二叠氮基的感光剂、(c)光酸产生剂、(d)交联剂和(e)溶剂,[2]透过掩模使该感光层曝光的步骤,[3]通过显影除去所述曝光区域以形成正型图像的步骤,和[4]使该正型图像的整个区域曝光的步骤。
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