[发明专利]制造表面发射半导体激光器中的掩埋式隧道结的方法无效
| 申请号： | 200380104438.4 | 申请日： | 2003-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1717850A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 马库斯－克里斯琴·阿曼 | 申请（专利权）人： | 维特拉斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造表面发射半导体激光器中的掩埋式隧道结(1)的方法、及此类型的激光器。所述激光器包括由第一n掺杂半导体层(6)和至少一个p掺杂半导体层(3、4)围绕的含pn结的有源区(5)，以及有源区(5)的p侧上的隧道结(1)，所述隧道结邻接第二n掺杂半导体层(2)。为掩埋隧道结(1)，用于隧道结(1)的层在第一步骤中使用材料选择性蚀刻被横向地去除，直至达到所需直径，并在第二步骤中在适合的气氛下被加热，直至蚀刻区域(1a)被来自邻接隧道结(1)的半导体层(2、3)中的至少一个的物质输运封闭。这使得可以以简单的技术大产量地制造表面发射激光二极管，允许横单模工作稳定和后者的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 表面 发射 半导体激光器 中的 掩埋 隧道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造表面发射半导体激光器中的掩埋式隧道结(1)的方法，该激光器具有由第一n掺杂半导体层(6)和至少一个p掺杂半导体层(3、4)围绕的具有pn结的有源区(5)，且在有源区(5)的p侧具有邻接第二n掺杂半导体层(2)的隧道结(1)，其中用于隧道结(1)的层在第一步骤中借助材料选择性蚀刻被横向腐蚀直至隧道结(1)的所需直径，并在第二步骤中在适合的气氛下被加热，直至蚀刻间隙被来自至少一个邻接隧道结(1)的半导体层(2、3)的物质输运封闭。
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