[发明专利]用测试结构制作半导体元件的方法无效
| 申请号： | 200380107080.0 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1729569A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | P·L·C·西蒙;A·M·范德波尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 借助于在衬底上提供至少一个测试结构而测试衬底上半导体元件的制作，此半导体元件具有多个单元类型，所述测试单元的单元类型与所述多个单元类型中的一个或多个相似，所述单元类型中的每一个至少具有在使用过程中要连接到预定电压源的第一和第二局部互连层结构、用来将控制电压分别提供给第一和第二电子元件结构的多个第一和第二多晶硅层结构，在测试结构中彼此连接所有的多个第一多晶硅层结构，以便提供互连的第一多晶硅层结构，并在测试结构中彼此连接所有的多个第二多晶硅层结构，以便提供互连的第二多晶硅层结构，提供预定的测试电压并对此测试电压引起的电流进行测量，以便确定制作错误。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底中至少制作一个半导体元件的方法，此半导体元件具有多个单元类型，此方法包含：-在所述半导体衬底上制作至少一个测试结构，它包含单元类型与所述多个单元类型中的一个或多个相似的预定数目的测试单元；-所述单元类型中的每一个至少具有在使用过程中要连接到预定电压源的第一和第二局部互连层结构，用来将控制电压分别提供给第一和第二电子元件结构的多个第一和第二多晶硅层结构；-在所述测试结构中彼此连接所有的所述多个所述第一多晶硅层结构，以提供互连的第一多晶硅层结构，并在所述测试结构中彼此连接所有的所述多个所述第二多晶硅层结构，以提供互连的第二多晶硅层结构；-将预定的测试电压分别提供给所述第一和第二局部互连层结构以及提供给所述互连的第一和第二多晶硅层结构；对所述测试电压引起的电流进行测量，以确定制作错误。
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