[发明专利]碱溶解型光刻用形成填隙材料的组合物有效
| 申请号： | 200380107353.1 | 申请日： | 2003-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1732410A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 竹井敏;石井和久;荒濑慎哉 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在双镶嵌工艺中使用的，有利于提高生产效率的光刻用形成填隙材料的组合物。具体地说涉及一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。由该形成填隙材料的组合物获得的填隙材料层可以利用碱水溶液进行回蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 溶解 光刻 形成 填隙 材料 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。
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