[发明专利]Ge－Cr合金溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200380109312.6 | 申请日： | 2003-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1745191A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 高见英生;安岛宏久 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C28/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种Ge－Cr合金溅射靶及其制造方法。Ge－Cr合金溅射靶的特征在于，在含有Cr 5～50at％的Ge－Cr合金溅射靶中，其相对密度为95％以上；Ge－Cr合金溅射靶的制造方法的特征在于，是将筛下物75μm以下的Cr粉及筛下物250μm以下且BET比表面积为0.4m2/g以下的Ge粉均匀分散混合后，进行烧结。作为相变化光盘的记录层和保护层之间的中间层，抑制利用反应溅射法抑制的膜GeCrN类层的成膜速度及膜组成的偏差，可以提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | ge cr 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ge-Cr合金溅射靶，其特征在于，其在含有Cr 5～50at％的Ge-Cr合金溅射靶中，其相对密度为95％以上。
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