[发明专利]用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法无效
| 申请号： | 200380110394.6 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1802603A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | W·黄;J·肯尼迪;R·卡特萨尼斯 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G03C1/00 | 分类号： | G03C1/00;B05D5/12;B32B27/42;C08J3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;段晓玲 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中披露了一种平面化组合物，其包括：a)结构组分；和b)溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。另外，本文中披露了另一种平面化组合物，其包括：a)基于甲酚的聚合物化合物；和b)包含至少一种醇和至少一种基于醚乙酸酯的溶剂的溶剂体系。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。本文中还披露了一种层状元件，其包括：a)具有表面形貌的基质；和b)例如本文中所述的那些的平面化组合物或薄膜，其中该组合物被偶合到基质上。本文中还披露了形成平面化组合物的方法，其包括：a)提供一种结构组分；b)提供一种溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量；和c)将结构组分和溶剂体系共混以形成平面化组合物。还披露了形成薄膜的方法，其包括：a)提供一种例如本文中所披露的那些的平面化组合物；和b)将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高级 微电子 应用 平面化 薄膜 及其 生产 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面化组合物，包括：结构组分；和溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物分子间力或表面力分量的至少一种。
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