[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410008925.7 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1531076A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 本间壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12;H01L23/28;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片，该芯片形成有半导体元件或集成电路，在表面上形成低介电常数绝缘膜，并且以突出该低介电常数绝缘膜的形态在该表面上形成多个凸点电极；布线基板，该基板具有与所述凸点电极电连接的多个连接电极；以及树脂密封体，填充作为所述半导体芯片和所述布线基板之间的空间，并且填充排列了电连接的所述凸点电极和所述连接电极的该空间；其中，所述树脂密封体具有助熔剂功能，由在所述凸点电极和所述连接电极连接时所述凸点电极为熔融状态时从液体状态变为固体的树脂构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，该芯片形成有半导体元件或集成电路，在表面上形成有低介电常数绝缘膜，并且以突出该低介电常数绝缘膜的形态在该表面上形成了多个凸点电极；布线基板，该基板具有与所述凸点电极电连接的多个连接电极；以及树脂密封体，填充作为所述半导体芯片和所述布线基板之间的空间，并且填充排列了电连接的所述凸点电极和所述连接电极的该空间；所述树脂密封体具有助熔剂功能，由在所述凸点电极和所述连接电极连接时所述凸点电极为熔融状态时从液体状态变为固体的树脂构成。
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