[发明专利]氢氧化钾溶液腐蚀（100）硅上<110>晶向凸角的补偿方法

摘要

本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。

主权项

1、一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上<110>晶向凸角的补偿方法，其特征在于：提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)的边长a由以下算式确定：$a=\frac{H}{(\frac{1}{2}\sin \alpha +\frac{1}{4}\cos \alpha )/U_c+\frac{\sqrt{2}}{6}}$ 其中，H表示腐蚀的深度，Uc是削角线行进速率与纵向腐蚀速率的比，α是削角线与<110>方向的夹角，为26.57°。