[发明专利]籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410010860.X | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1696356A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王志军;吕有明;申德振;王之建;李守春;元金山;张吉英;范希武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;H01L21/36 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，是籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法。将等质量的乙酸锌与碳酸氢钠在室温下充分研磨，在160℃下反应2～4小时，将产物用去离子水清洗并在100℃烘干。利用旋涂技术将1～3％的非晶ZnO乙醇溶液均匀地旋涂在清洗好的衬底上，在180～200℃下反应2～4小时。将衬底上晶化生成同一取向的ZnO籽晶，置于1～5×10－5m/ml的乙酸锌有机溶液中，在80℃～100℃低温下，生长15～20小时。由于利用非晶—籽晶诱导法和低温液相外延自组装技术，因此，用本发明制备的ZnO晶体薄膜具有质量高、重复性好、可靠性高、成本低、易形成产业化等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 诱导 低温 外延 组装 生长 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法，其特征是：首先，通过化学反应制备出非晶ZnO；然后利用非晶ZnO的亚稳特性，在衬底上生成高同一取向的ZnO籽晶；最后在低温下，用液相外延自组装技术生长高质量的ZnO薄膜。
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