[发明专利]化学机械研磨抛光系统中的抛光垫的调理方法无效

专利信息
申请号: 200410018600.7 申请日: 2004-05-21
公开(公告)号: CN1699016A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 李京漋;马智勇;余慧;徐根保 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;H01L21/302
代理公司: 上海隆天新高专利商标代理有限公司 代理人: 楼仙英
地址: 201203上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种新的化学机械研磨抛光垫的调理方法,用调理元件金刚砂轮磨合/调理新/旧化学机械研磨抛光垫,调理参数,即,调理时加的向下的压力、和调理时间,随着所用的调理元件金刚砂轮的老化程度和被调理的化学机械研磨抛光垫的表面结构变化。用调理后的化学机械研磨抛光垫每分钟抛光除去的二氧化硅(SiO2)膜的厚度确定化学机械研磨抛光垫的抛光速度或研磨能力。
搜索关键词: 化学 机械 研磨 抛光 系统 中的 调理 方法
【主权项】:
1,化学机械研磨抛光垫的调理方法,用调理元件金刚砂轮磨合/调理新/旧化学机械研磨抛光垫,其特征是,调理参数,即,调理时加的向下的压力、和调理时间,随着所用的调理元件金刚砂轮的老化程度和被调理的化学机械研磨抛光垫的表面结构变化。
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