[发明专利]铝化学机械抛光和保护层的方法与结构有效
申请号: | 200410024912.9 | 申请日: | 2004-05-31 |
公开(公告)号: | CN1704204A | 公开(公告)日: | 2005-12-07 |
发明(设计)人: | 俞昌;杨春晓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;H01L21/302 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种对镜结构进行化学机械抛光的方法。该方法包括,形成一个覆盖在半导体衬底,例如硅晶圆,之上的第一电介质层,并且形成一个覆盖在该第一电介质层之上的铝层。使用微接触抛光工艺来处理在铝层的上表面之上的区域,以将铝层的上表面的表面粗糙度降低到5埃以下,以在该铝层上形成高反射率镜面。形成一个保护层覆盖在铝层的镜面之上。图案化该铝层以暴露该电介质层的部分,进而形成由该已暴露区域形成的边界定义的多个像素区域。形成一个覆盖在图案化铝层和第一电介质层的已暴露部分之上的第二电介质层。去除第二电介质层的一部分以暴露出保护层,其中保护层充当抛光停止层。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 保护层 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种对镜结构进行化学机械抛光的方法,所述方法包括:提供一个半导体衬底;形成一个覆盖在所述半导体衬底之上的第一电介质层;形成一个覆盖在所述第一电介质层之上的铝层,所述铝层具有大于20埃的均方根抛光前粗糙度的上表面;通过使用微接触抛光工艺,处理在所述铝层的所述上表面之上的区域,以将所述铝层的所述上表面的表面粗糙度降低到5埃以下,进而在所述铝层之上形成一个镜面;形成一个保护层覆盖在所述铝层上的所述镜面之上,以避免诸如颗粒划痕和腐蚀等所引起的缺陷,所述缺陷例如可能在随后的工艺步骤中引起;图案化所述铝层以暴露所述电介质层的部分,以形成由所述已暴露部分的边界定义的所有像素区域;形成一个覆盖在所述图案化铝层和所述第一电介质层的已暴露部分之上的第二电介质层;去除所述第二电介质层的一部分以暴露出所述保护层,其中所述保护层充当一个抛光停止层。
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