[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410029741.9 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1536660A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 野口纯司;大岛隆文;三浦典子;石川宪辅;岩崎富生;胜山清美;斋藤达之;田丸刚;山口日出 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜上形成的布线开口部分；具有以铜作为主要成分的第1导体膜的、埋入在所述布线开口部分的布线；在所述布线和所述第1绝缘膜上形成的第1阻挡绝缘膜；在所述第1阻挡绝缘膜上形成的第2阻挡绝缘膜；以及在所述第2阻挡绝缘膜上形成的、具有比氧化硅膜低的介电常数的第2绝缘膜，所述第1阻挡绝缘膜对铜的阻挡性，比所述第2阻挡绝缘膜对铜的阻挡性大，所述第2阻挡绝缘膜和所述第2绝缘膜的粘合性，比在所述第1阻挡绝缘膜上形成所述第2绝缘膜时的所述第1阻挡绝缘膜和所述第2绝缘膜的粘合性大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410029741.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多端口研磨流体传送系统
- 下一篇：通信系统
