[发明专利]形成多孔膜的组合物,多孔膜和其制备方法,层间绝缘膜和半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410031386.9 申请日: 2004-03-26
公开(公告)号: CN1542071A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 荻原勤;八木桥不二夫;滨田吉隆;浅野健;岩渊元亮;中川秀夫;笹子胜 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;H01L21/312
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王维玉;薛俊英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明,用半导体工艺中常用的方法,很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液,该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地,形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物,所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的,具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
搜索关键词: 形成 多孔 组合 制备 方法 绝缘 半导体器件
【主权项】:
1.一种形成多孔膜的组合物,该组合物包括缩合物及有机溶剂,所述的缩合物是从至少一种选自用通式(1)表示的硅酸盐化合物和用通式(2)表示的有机硅酸盐化合物在酸的存在下缩合得到的,(X2O)i(SiO2)j(H2O)k …(1)式中,X独立地表示Li、Na、K、Rb、Cs或者季氮鎓,i、j和k独立地表示满足0<i≤1、0<j≤1、0<k≤2的数;(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c …(2)式中,R独立地表示氢原子或者有机基团,X独立地表示Li、Na、K、Rb、Cs或者季氮鎓;a、b和c独立地表示满足0<a≤1、0<b≤1、0≤c≤1.5的数。
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