[发明专利]硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片有效
| 申请号： | 200410031425.5 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1540042A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 维尔弗里德·冯·安蒙;贾尼斯·维尔布利斯;马丁·韦伯;托马斯·韦策尔;赫伯特·施密特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种根据左科拉斯基法自保持在转动坩埚内的熔体中抽拉出单晶以生产硅单晶的方法，该单晶在一生长结晶面处生长，并通过一流向生长结晶面的热通量将热量特意地供给至生长结晶面的中心。本发明还涉及硅单晶，该硅单晶的氧含量为4×1017厘米－3至7.2×1017厘米－3、硼或磷的径向浓度变化低于5％并无聚集的固有点缺陷，并涉及由该硅单晶分离出来的半导体晶片、以聚集的空位缺陷(COPs)作为唯一的固有点缺陷类型的半导体晶片、以及具有特定其它缺陷分布的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生产 方法 装置 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种根据左科拉斯基法自保持在转动的坩埚中的熔体中抽拉出单晶以生产硅单晶的方法，该单晶在一生长结晶面处生长，其特征在于，通过一流向生长结晶面的热通量将热量特意地供给至生长结晶面的中心。
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