[发明专利]溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200410033686.0 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1564336A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 毕晓昉;杨柏;宫声凯;徐惠彬 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 赵文利 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备该膜的方法，它是在(111)取向硅单晶基片表面上依次溅射沉积钽1～4nm、镍铁1～4nm、铜1～3nm、钴1～4nm材料层。该高巨磁电阻效应纳米多层膜结构简单且巨磁电阻值高达100％。本发明纳米多层膜的制备方法是采用磁控溅射技术进行溅射沉积，硅基片安装在基片转台上，靶材安装在各自的靶台上，根据所需溅射沉积各层材料的厚度调节其电流、电压进行制备，本方法步骤简单，操作方便，厚度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 硅基片上 制备 磁电 效应 纳米 多层 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高巨磁电阻效应纳米多层膜，它是在硅单晶表面上溅射高巨磁电阻效应多层膜材料，其特征在于：所述的纳米多层膜中各层材料为钽、镍铁、铜和钴，所述的硅单晶具有(111)取向，且掺杂。
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