[发明专利]涂敷设备、薄膜形成方法、薄膜形成设备、半导体器件制造方法、电光装置和电子仪器无效
| 申请号： | 200410035379.6 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1541781A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 汤田坂一夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B05C5/02 | 分类号： | B05C5/02;B05C11/00;B05C11/10;B05C9/14;B05C9/12;B05C9/10;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在涂敷室中的衬底上涂敷液体原料的涂敷设备。供给液体原料的第一液体供给系统设置在涂敷室。第二液体供给系统设置在第一液体供给系统中，第一液体系统供给液体，所述液体清除残留在涂敷室和/或第一液体供给系统中的液体原料或去除所述液体原料的活性。提供了一种涂敷设备、一种薄膜形成方法、一种电光装置和一种电子仪器，它们能够获得具有极少缺陷和高度再生产性的高性能的薄膜，并允许有效和安全地进行设备的保养，以及能够以低成本制造薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 敷设 薄膜 形成 方法 设备 半导体器件 制造 电光 装置 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种在涂敷室中的衬底上涂敷液体原料的涂敷设备，包括：第一液体供给系统，其向涂敷室供给液体原料；以及第二液体供给系统，其向第一液体系统供给液体，所述液体清除残留在涂敷室或第一液体供给系统中的至少任一个中的液体原料或去除所述液体原料的活性。
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