[发明专利]去除光罩遮光缺陷的方法及其半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200410038131.5 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1573557A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林孜颖;游秋山;胡清旺;谢明志;何明丰;龚俊宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于微影用光罩，包含透光基底以及光罩图案层设置于该透光基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：首先覆盖一阻剂于该透光基底表面；接着在透光基底上选定包含遮光缺陷的区域，对该区域再进行相同的光罩图案的曝光显影制程，以形成图案化阻剂，并露出该遮光缺陷。以该图案化阻剂为幕罩，蚀刻该区域以去除遮光缺陷。最后，去除阻剂则形成无遮光缺陷的光罩图案层。而藉此方法所形成的光罩，可用于半导体制程中。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 遮光 缺陷 方法 及其 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于一微影用光罩，包含一透光基底以及一光罩图案层设置于该基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：覆盖一阻剂于该透光基底表面；于该透光基底上选定包含该遮光缺陷的一区域；对该区域进行一图案化制程，以形成图案化阻剂，并露出该遮光缺陷；以及以该图案化阻剂为幕罩，蚀刻该区域以去除该遮光缺陷。
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