[发明专利]高击穿电压的高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200410046387.0 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1707807A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐晓华;倪海桥;牛智川;贺正宏;王建林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L29/80 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，制作在面掺杂层上，用于调节阈值电压；一重掺杂盖层，制作在势垒层上，用于欧姆接触；源、栅、漏和侧向电极制作在重掺杂盖层上；侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接，用于将空穴抽取出晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，该空穴收集层制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，该二维电子气量子阱制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，该隔离层制作在二维电子气量子阱上，用于隔离中二维电子气量子阱的电子和其上掺杂层中的杂质的库仑相互作用；一面掺杂层，该面掺杂层制作在隔离层上，用于提供电子，并有效提高势垒击穿电压；一势垒层，该势垒层制作在面掺杂层上，用于调节阈值电压；一重掺杂盖层，该重掺杂盖层制作在势垒层上，用于欧姆接触；源、栅、漏和侧向电极，该源、栅、漏电极制作在重掺杂盖层上；侧向电极制作在本结构的一侧并与空穴收集层连接，用于将空穴抽取出晶体管。
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