[发明专利]采用光致抗蚀剂形成均匀的特征的方法无效
申请号: | 200410047674.3 | 申请日: | 2004-05-28 |
公开(公告)号: | CN1573563A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 奥玛·E·M.·卡玛丑;陈培杰;黄成一;蒂安纳·皮莱兹;孙永健 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G11B5/33;G11B5/127;B24B5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 描述了一种采用光致抗蚀剂作为掩模的离子铣削方法。在一种优选实施方式中本发明被用于制造用在磁存储设备中的滑块上的空气支承特征。按照本发明,液体或干光致抗蚀剂被涂敷、显影和去除,如在包括烘烤步骤的现有技术中那样。本发明的实施方式除被用于光刻法中的烘烤步骤之外包括附加烘烤步骤。该附加烘烤步骤最好在离子铣削之前立即被执行。如本发明的附加烘烤步骤获得离子铣削的深度的增加的均匀性,这被认为是由光致抗蚀剂中的例如水之类的挥发性材料的减少引起的。当本发明被用作离子铣削滑块上的空气支承特征的制造方法的一部分时,所述特征更均匀,这改进整体质量和性能。 | ||
搜索关键词: | 用光 致抗蚀剂 形成 均匀 特征 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子铣削方法,该方法包括以下步骤:将光致抗蚀剂材料沉积在衬底表面上;通过限定要被保护不受离子铣削影响的衬底表面上的第一区域的掩模对光致抗蚀剂材料曝光;使光致抗蚀剂材料显影,以从为离子铣削而选定的衬底表面上的第二区域去除光致抗蚀剂材料,而保留衬底表面的第一区域上的光致抗蚀剂材料;以升高的温度烘烤衬底表面的第一区域上的光致抗蚀剂材料达选定的时间段,从而在离子铣削之前减少光致抗蚀剂材料中的挥发性物质以增加蚀刻深度的均匀性;离子铣削未被光致抗蚀剂材料覆盖的衬底表面上的第二区域以去除衬底材料至选定蚀刻深度;和从衬底表面去除所有光致抗蚀剂材料。
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