[发明专利]具有凸起的结区域的PMOS晶体管应变最优化有效
| 申请号： | 200410050187.2 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1577890A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 马克·T·伯尔;塔希尔·加尼;斯蒂芬·塞亚;凯扎德·米斯特里;克里斯托弗·P·奥特;马克·阿姆斯特朗;基恩·E·扎瓦兹基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有凸起的结区域的PMOS晶体管。由器件的结区域中的与衬底的表面处于非同面的关系的硅合金材料提供了PMOS晶体管沟道区域中的最优应变。选择硅合金材料、硅合金材料的尺寸以及硅合金材料与衬底表面的非同面的关系，使得硅合金材料的晶格间距和衬底的晶格间距之间的差异引起衬底表面下方以及衬底表面上方的硅合金材料中的应变，以在衬底沟道中产生最优的硅合金引起的应变。此外，可以选择非同面的关系，使得由形成在硅合金材料上方的具有不同晶格间距的层所引起的任何应变对沟道区域中的应变的影响减小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凸起 区域 pmos 晶体管 应变 优化 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：衬底；位于所述衬底上的器件，所述器件包括所述衬底表面上的栅电极，以及邻接所述栅电极的位于所述衬底中的第一结区域和第二结区域；和硅合金材料，所述硅合金材料被置于所述第一结区域和所述第二结区域中的每一个之中，使得所述第一结区域的表面和所述第二结区域的表面与所述衬底的所述表面处在非同面的关系中。
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