[发明专利]微机电器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200410055678.6 | 申请日： | 2004-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1603225A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | M·G·蒙罗;E·L·尼克尔;D·M·拉扎罗夫 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C5/00;G02F1/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成MEMS器件的方法包括在子结构(200)沉积传导材料(224)，在传导材料上形成第一牺牲层(230)，其中包括在第一形成层上形成大致平的表面(232)，并在第一牺牲层的大致平的平面上形成第一元件(141)，其中包括通过第一牺牲层第一元件与传导材料连通。另外，该方法还包括在第一元件上形成第二牺牲层(270)，包括形成第二牺牲层的大致平的表面(272)，在形成第二牺牲层之后，形成穿过第二牺牲层到第一元件的支承件(290)，其中包括填充支承件，并在支承件上形成第二元件(142)以及第二牺牲层的大致平的表面。因此，该方法还包括大致去除第一牺牲层和第二牺牲层，由此通过支承件相对于第一元件支承第二元件。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成微反射镜器件的方法，该方法包括：在子结构(200)沉积传导材料(224)；在传导材料上形成牺牲材料的第一层(230)；在牺牲材料的第一层上形成铰链元件(141)，其中包括通过第一牺牲材料的第一层，将铰链元件与传导材料连通；在铰链元件上形成牺牲材料的第二层(270)；在形成牺牲材料的第二层之后，形成穿过牺牲材料的第二层到铰链元件的封堵通路(290)；在封堵通路和牺牲材料的第二层上形成反射元件(142)，以及大致去除牺牲材料的第一层和第二层，其中包括通过封堵通路相对于铰链元件支承反射元件。
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