[发明专利]半导体装置及其制造方法以及静电放电保护电路无效
| 申请号： | 200410058229.7 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1624927A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L27/00;H01L21/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置，包括一电阻器，形成于一半导体层中，例如一位于绝缘层上有硅层(SOI)基底上方的硅层；一本体区，形成于一部分的半导体层中并掺杂有一第一导电性(例如n型或p型)；一第一接触区，形成于半导体层并邻近本体区，其亦掺杂有一第一导电性；一第二接触区，形成于半导体层中并藉由本体区隔开第一接触区；一介电层，位于本体区上方，其由介电常数大于8的材料所形成；一电极，位于介电层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一半导体层；一本体区，形成于一部分的该半导体层中，该本体区掺杂有一第一导电性且具有一第一电阻率；一第一接触区，形成于该半导体层中且邻近于该本体区，该第一接触区掺杂有该第一导电性；一第二接触区，形成于该半导体层中且藉由该本体区而与该第一接触区相隔，该第二接触区掺杂有该第一导电性；一介电层，位于该本体区上方，该介电层包括具有一介电常数大于8的材料；以及一电极，位于该介电层上方。
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