[发明专利]图形制造系统、曝光装置及曝光方法无效
申请号: | 200410058860.7 | 申请日: | 2004-08-02 |
公开(公告)号: | CN1580950A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 森田清辉;菅沼敦;中谷大辅;泽野充 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/26;H05K3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种图形制造系统、曝光装置及曝光方法,利用由加工用图形数据(100)指定的图形线的线宽与曝光量,对涂覆于基板上的铜箔上的抗蚀剂进行直接描绘曝光,再对曝光过的抗蚀剂进行显影来形成抗蚀图形,然后,蚀刻形成有抗蚀图形的基板上的铜箔来形成图形。这时,扫描蚀刻后的形成图形得到图像信息(200),再对图像信息(200)的图形线的线宽与蚀刻后的目标的目标形成图形的图形线的线宽进行比较,根据该比较结果来调整由加工用图形数据(100)指定的图形线的线宽,再对使用调整过的线宽直接描绘抗蚀剂。因此,调整蚀刻液的劣化等的图形线的线宽的成品误差来形成图形而可得到精度高的成品。 | ||
搜索关键词: | 图形 制造 系统 曝光 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图形制造系统,其特征在于,包括:曝光部,根据用于形成目标形成图形的加工用图形数据,以规定的曝光量对附着在基板上的被蚀刻材料上的抗蚀剂进行直接描绘曝光;显影部,显影曝光过的上述抗蚀剂来形成抗蚀图形;蚀刻部,蚀刻上述被蚀刻材料构成形成图形;补正部,根据上述抗蚀图形的形状与目标抗蚀图形的形状的差异、上述形成图形的形状与上述目标形成图形的形状的差异、成为上述差异的主要原因的成分中的任一个或任意的组合,来补正上述加工用图形数据和/或上述规定的曝光量。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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