[发明专利]磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法无效
| 申请号： | 200410059318.3 | 申请日： | 2004-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1573936A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·W·贝德尔;理查德·萨伊奥;詹姆斯·D·加拉特;帕特里克·R·韦布;张思扬 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/17 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造磁头的线圈结构的系统和方法。最初淀积绝缘层，在绝缘层上淀积光致抗蚀剂层。此外，将硅电介质层淀积在光致抗蚀剂层上，作为硬掩模。接着，将硅电介质层遮蔽。随后，利用反应离子刻蚀(即，CF4/CHF3)在硅电介质层中形成多个沟槽。接着，使用硅电介质层作为硬掩模，利用，例如，H2/N2/CH3F/C2H4还原化学的反应离子刻蚀，将沟槽图案转移到光致抗蚀剂层上。为了得到具有所需纵横比的最优沟槽轮廓，沟槽形成包括形成第一角度的第一片段和形成第二角度的第二片段。此后，将导电种子层淀积在沟槽中，沟槽充满导电材料以形成线圈结构。接着，可以使用化学机械抛光使导电材料平面化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 线圈 系统 及其 反应 离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁头的线圈结构的方法，包括：淀积绝缘层；在所述绝缘层上淀积光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上淀积硅电介质层；遮蔽所述硅电介质层；在所述硅电介质层中反应离子刻蚀至少一个沟槽；在所述光致抗蚀剂层和硅电介质层中反应离子刻蚀至少一个沟槽，其中沟槽包括限定第一角度的第一片段和限定第二角度的第二片段；在所述沟槽中淀积导电种子层；用导电材料充满所述沟槽，从而限定一个线圈结构；以及对所述导电材料和导电种子层进行化学机械抛光，以便对其平面化。
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