[发明专利]薄膜复合制备方法与装置

摘要

本发明公开了一种薄膜复合制备方法与装置，方法步骤如下：(1)在一定的背底真空度下通入惰性气体或者惰性气体与反应气体的混合气体，通过磁控溅射、真空阴极电弧蒸发源、气体导入三种方式单独或者组合，提供表面改性所需要的基本粒子；(2)依靠一个闭环磁场或者开环半封闭磁场，将等离子体约束在一个空间里面，复合改性在空间中进行；(3)以工件为阴极，施加负10KV－100KV的偏压脉冲，实现离子注入；当不需要离子注入时，工件施加范围在负2000V至正300V的偏压。上述方法所采用的装置由真空系统(1)、真空腔体(2)、磁控溅射源(3)和/或真空阴极电弧蒸发源(4)、高压工件架(5)、供气系统(6)、以及电源及控制系统(7)组成。

主权项

1、一种薄膜复合制备方法，其特征在于，方法步骤如下：(1)当真空度小于5×10-3Pa的背底真空度后，通入惰性气体与反应气体的混合气体，将真空度维持在5Pa至3×10-3Pa之间，通过磁控溅射、真空阴极电弧蒸发源、气体导入三种方式单独或者组合，提供表面改性所需要的基本粒子，这些基本粒子，通过磁控溅射、真空阴极电弧蒸发、或者自辉光的方式，或者上述三种方式的排列组合，离化为等离子体；(2)依靠一个闭环磁场或者开环半封闭磁场，将等离子体约束在一个空间里面，复合改性在空间中进行；(3)该闭环磁场或者开环半封闭磁场位于真空腔体的内部，闭环磁场或者开环半封闭磁场的环形部分是指N极指向S极的磁力线，该闭环或者开环半封闭磁场的产生，是利用磁控溅射源本身的磁场与真空阴极电弧源的约束真空电弧的磁场，通过排布N极与S极的连接构成，或者采用辅助的N极与S极相互连接，构成闭环或者开环半封闭磁场结构；(4)以工件为阴极，施加负10KV-100KV的偏压脉冲，实现离子注入；当不需要离子注入时，工件施加范围在负2000V至正300V的偏压。