[发明专利]原版及其制造方法、曝光装置检查系统及检查方法无效
| 申请号： | 200410062471.1 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1576778A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤隆;浅野昌史;金井秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01B11/25;G01M11/02;G03F1/08;G03F7/207 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种原版及制造方法、曝光装置检查系统、检查方法，可大幅度缩短半导体器件制造工序中光学系统校正所需的时间。原版包括：掩模衬底(1)；配置在掩模衬底(1)上的遮光膜(17)；设置于遮光膜(17)中的检查图形用开口(56a、56b、56c)及器件图形用开口(57)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的包括分别设置在掩模衬底(1)上的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)的检查图形(20a、20b、20c)；在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出的与掩模衬底(1)上检查图形(20a、20b、20c)分别相邻设置的对准标记(26a、26b、26c)；在器件图形用开口(57)中露出的设于掩模衬底(1)上的器件图形(15a、15b、15c)。 | ||
| 搜索关键词： | 原版 及其 制造 方法 曝光 装置 检查 系统 | ||
【主权项】：
1.一种原版，其特征在于包括：掩模衬底；检查图形，其设置在所述掩模衬底上，包括产生衍射效率不同的正一次衍射光和负一次衍射光的非对称衍射光栅；以及器件图形，其与所述检查图形相邻并设置在所述掩模衬底上。
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