[发明专利]一种钨塞阻挡层淀积工艺及其结构无效
| 申请号： | 200410067835.5 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1604317A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种钨塞阻挡层淀积工艺及其结构。通常情况下，通孔钨塞的制成次序是：先淀积阻挡层金属TiN，然后淀积钨，最后用回刻或W CMP除去多余的W和TiN，只留下通孔中的W和TiN。但当通孔尺寸减小到0.18微米或以下的工艺条件下，由于通孔尺寸小，光刻和刻蚀过程中容易出现通孔和下层金属线位错或对不准，从而导致通孔电阻偏高或均匀性变差。本发明采用Ti/TiN作为钨塞阻挡层，既满足了覆盖率，又满足了钨塞的填孔性。这样，其互连通孔结构由Ti、TiN和后钨塞组成。实验结果证明采用Ti/TiN作为钨塞阻挡层效果很好，提高了通孔互连的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 层淀积 工艺 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路互连通孔结构，其特征是依次由阻挡层(1)、阻挡层(2)、后钨塞组成，其中阻挡层(1)为Ti、阻挡层(2)为TiN。
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