[发明专利]基板检查方法及装置、氮化物半导体元件制造方法及装置无效
| 申请号： | 200410068629.6 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1590986A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 户田典彦 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板检查方法、基板检查装置、氮化物半导体元件的制造方法及氮化物半导体元件的制造装置。其中的基板检查方法用于确定碳化硅基板的缺陷区域。其中，将碳化硅基板放置在载物台(12)上，对构成叠层体(15a)的碳化硅基板(151)上的GaN层(152)照射激励光时，从该GaN层中碳化硅基板的结构缺陷部分产生发光。通过利用这种发光现象，可以检测碳化硅基板的不良部的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 方法 装置 氮化物 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板检查方法，其特征在于，对成膜于碳化硅基板上的氮化物半导体薄膜照射激励光，并利用由该激励光在所述氮化物半导体薄膜中产生的基于所述碳化硅基板缺陷的光，确定所述碳化硅基板的不良部位置。
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