[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及减小尺寸的具有非易失存储器的半导体器件。在具有AND型快闪存储器中，多个非易失存储单元具有有多个第一电极、与多个第一电极交叉的多个字线以及多个浮置栅极，所述浮置栅极设置在分别位于多个相邻第一电极之间的部分上且在平面图上与多个字线重叠，多个浮置栅极形成为横截面为凸起状，并且比第一电极高。结果是，即使减小非易失存储单元的尺寸，也可以很容易地处理浮置栅极。此外，可以提高字线的浮置栅极和控制栅极之间的耦合比而不增加由非易失存储单元所占据的面积。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和多个非易失存储单元，具有设置在所述半导体衬底上方的多个第一电极、设置在所述半导体衬底上方并与多个所述第一电极交叉设置的多个第二电极，以及用于电荷积累的多个第三电极，多个所述第三电极设置在分别位于多个所述相邻第一电极之间并在平面图上与多个所述第二电极重叠的位置，其中所述第三电极设置在与所述半导体衬底、所述第一电极和所述第二电极绝缘的状态中，并且每个所述第三电极处于所述半导体衬底和所述第二电极之间，并且在与所述半导体衬底的主表面相交的方向所述第三电极的每个横截面形状是凸起状，以便其高度大于所述第一电极的高度。