[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法,包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法无效
申请号: | 200410075872.0 | 申请日: | 2004-11-04 |
公开(公告)号: | CN1770472A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
发明(设计)人: | 朴敬培;野口隆;赵世泳;金道暎;权章渊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴;巫肖南 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜,热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜,在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜,以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜,而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。 | ||
搜索关键词: | 形成 多晶 薄膜 方法 包含 薄膜晶体管 及其 制造 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括:衬底;堆叠在衬底上的第一热导薄膜;热导率低于第一热导薄膜、堆叠在第一热导薄膜上的第二热导薄膜;覆盖第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的部分第一热导薄膜的多晶硅薄膜;堆叠在多晶硅薄膜上的栅叠层。
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