[发明专利]半导体组件及其制作方法有效
| 申请号： | 200410080824.0 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1627515A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 余振华;曾鸿辉;胡正明;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L39/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(High Temperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，包括：一介电层，其中定义有至少一孔隙；一高温超导层，形成于该至少一孔隙中的该阻障层上；以及一导电材料，填充于该介电层的该孔隙中。
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