[发明专利]制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 200410085064.2 | 申请日： | 2004-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1607677A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杰克·O·楚;史蒂文·J·科尔斯特;欧阳齐庆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种高迁移率半导体层结构和场效应晶体管(MODFET)的结构和制造方法，该结构包括高迁移率的传导沟道，而同时又保持反掺杂以控制有害的短沟道效应。该MODFET设计包括高迁移率传导沟道层，而其方法允许用如同离子植入这样的标准功艺来形成反掺杂，还允许高迁移率沟道邻近反掺杂层而没有引起迁移率的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 迁移率 场效应 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层结构，包括：一层弛豫Si1-xGex层；其中所述弛豫Si1-xGex层或者部份地，或者全部地被p型掺杂；在所述弛豫Si1-xGex层顶上的一层底Si1-zGez缓冲层；在所述底Si1-zGez缓冲层顶上的一层拉伸应变Si量子阱层；在所述拉伸应变Si量子阱层顶上的一层顶Si1-mGem缓冲层；在所述顶Si1-mGem缓冲层顶上的一层Si帽层，该层处于拉伸应变下。
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