[发明专利]为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件有效
| 申请号： | 200410085542.X | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1610129A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | K·汉森;R·C·休德纽 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 火惠颖 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极(3)与第一和第二主电极延伸(4，5)之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层(2)的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸(4，5)之后执行的，因为使延伸(4，5)无定形化的步骤也使绝缘层(2)部分无定形化。因为无定形绝缘体与晶体绝缘体的蚀刻率不同，这可以用作自然的蚀刻挡板以使重叠可更好地细调节。本发明还提供了相应的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高级 mis 半导体器件 形成 凹槽 绝缘 方法 获得 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：沉积在半导体基片(1)上的绝缘层(2)，沉积在绝缘层(2)上的控制电极(3)，半导体基片1中与所述控制电极(3)重叠的第一主电极延伸(4)和第二主电极延伸(5)，所述绝缘层(2)包括相对于控制电极(3)靠近第一电极延伸(4)和/或靠近第二主电极延伸(5)的凹槽(8，9)，所述凹槽的深度在0.5和5毫微米之间。
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