[发明专利]电子元件本体的绝缘结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200410088578.3 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1770340A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 曾明灿 | 申请（专利权）人： | 力毅国际有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;C07C15/08;H01F17/00;H01F27/00;H05K13/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 彭焱 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元件本体的绝缘结构及其形成方法，是在元件两端先设有第一端电极，再利用对二甲苯的高分子材料在元件表面形成一层均匀的高分子绝缘层薄膜，并将其包覆，该第一端电极外露，再在该外露的第一端电极上形成一第二端电极，最后再电镀形成一焊接介面层，通过高分子绝缘层的特性，可使电子元件本体的表面无电镀扩散的现象，并可保护电子元件在实施电镀时避免受到镀液的侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 本体 绝缘 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件本体的绝缘结构，在表面粘着技术的电子元件的本体材料(31)中包裹着内电极(32)，其特征在于：在所述元件两端先设有第一端电极(33)；再以高分子聚合气相沉积方式在所述元件表面形成一高分子绝缘层(34)，并将其包覆，且所述第一端电极(33)外露；在所述外露的第一端电极(33)上再形成一第二端电极(36)，且所述第二端电极(36)包覆所述元件的端面；再形成一焊接介面层(35)，包覆所述第二端电极(36)。
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