[发明专利]具有导电穿透通道的硅芯片载体及其制造方法有效
| 申请号： | 200410090600.8 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1684256A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·查尔斯·艾德尔斯坦;保罗·斯蒂芬·安德雷;利纳·帕维基·布奇沃尔特;约翰·阿尔弗雷德·卡塞;谢里夫·A·高马;雷蒙德·R·霍尔顿;加雷斯·杰奥弗雷·修加姆;迈克尔·怀恩·雷恩;刘小虎;奇拉克·苏利亚康特·帕特尔;埃德蒙德·尤利斯·斯普罗吉斯;迈克雷·雷格·斯廷;布赖恩·理查德·桑德罗夫;曾康怡;乔治·弗雷德里克·沃克尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/14;H01L23/48;H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种载体结构和用来制造具有穿透通道的载体结构的方法，各个穿透通道具有导电结构，其有效热膨胀系数小于或紧密匹配于衬底，且有效弹性模量小于或紧密匹配于衬底。此导电结构可以包括不同的材料同心地排列在其中的同心通道填充区、导电材料的环形环所环绕的衬底材料的核心、导电材料的环形环所环绕的CTE匹配的不导电材料的核心、具有低CTE内空洞的导电通道、或诸如已经被烧结或熔融的金属－陶瓷粘胶之类的导电复合物材料的完全填充。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 穿透 通道 芯片 载体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体载体结构，它包含：半导体衬底，它包含具有第一热膨胀系数和第一弹性模量的衬底材料；所述半导体衬底中的至少一个穿透通道，其中，各个所述穿透通道被导电结构填充，此导电结构具有小于或基本上等于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数以及小于或等于第一弹性模量的第二弹性模量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410090600.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
