[发明专利]纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法

摘要

本发明纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，属于微电子技术中的纳米、深亚微米加工领域。一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，其工艺步骤如下：1.在半导体基片上涂上底层压印胶；2.用纳米压印方法压印出底层压印胶图形，获得底层栅槽图形；3.涂上顶层光学光刻胶；4.光学光刻方法曝光出顶层光学光刻胶图形；5.显影顶层光学光刻胶获得宽栅槽图形；6.氧等离子体灰化底层残余压印胶；7.蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。本发明方法可以获得深亚微米、纳米T型栅结构，适合用于大规模生产。

主权项

1、一种纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法，其特征在于，其T型栅图形的形成是由纳米压印方法印出底层纳米压印胶图形，获得根部栅图形，然后涂上顶层光学光刻胶，用光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶，显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形，然后蒸发、剥离栅金属而获得T型栅。